Propriétés électriques

À température ambiante, la résistance électrique spécifique du diamant non dopé dépasse d?environ dix ordres de grandeur celle du silicium extra-pur monocristallin. Ceci est dû à l?important écart énergétique de 5,45 eV entre bande de valence et bande de conduction. Depuis quelques années déjà, on maîtrise la technique du dopage du diamant de type p aux atomes accepteurs (le bore, p.ex.). La fabrication de diamant de type n reste toujours une gageure par contre. En cas de faible concentration en matières de dopage, la mobilité des porteurs de charge dans le diamant est de 2200 cm2/Vs pour les électrons et de 1600 cm2/Vs pour les trous, soit environ 1,5 à 2,7 fois plus que dans le silicium.